国产芯片崛起可期!中芯国际7nm工艺新突破,或不依靠EUV光刻机

原标题:国产芯片崛起可期!中芯国际7nm工艺新突破,或不依靠EUV光刻机

目前国内企业已经能够设计出性能优秀的芯片,但是在芯片代工方面,依然是一个短板。www.c1.com_【官方首页】-彩1相比台积电、三星来说,其7nm工艺已经逐渐成熟,目前正冲向下一代芯片制程。而国内芯片代工方面,只有中芯国际发展乐观,不过此前由于在采购EUV光刻机方面受挫,迟迟没有收到荷兰提供的EUV光刻机,其7nm制程也只能放缓。

不过现在消息显示,国产7nm有信了,中芯国际不用EUV光刻机也能搞定。www.c1.com_【官方首页】-彩1目前中芯国际已开始发展更新一代的N+1、N+2工艺。www.c1.com_【官方首页】-彩1根据中芯国际联席CEO梁孟松的说法,N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。N+1基本上可以确定是7nm级别的工艺了,因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍,这超过了14nm到10nm工艺的进化水平。

此外还有N+2工艺,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。在这这两个工艺方面,梁孟松表示N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺,等到设备就绪之后,N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。

从综合资料来看,这边是中芯国际的7nm芯片发展轨迹,这也与台积电的7nm工艺路线相差无几。台积电在7nm工艺方面进化了三代,分别为低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。值得注意的是,同样前两代没有用到EUV光刻机。只有N7+使用EUV工艺,也是目前台积电的量产工艺。

目前中芯国际已经实现了14nm工艺量产,而且随着其量产提速这也为其贡献了1%的营收,能够满足国内95%的芯片生产,换句话说即便遇到意外情况,中芯国际14/12nm量产之后国内也可以自己代工生产90%以上的芯片。根据产能来看,14nm月产能将在今年3月达到4K,7月达到9K,12月达到15K。www.c1.com_【官方首页】-彩1其中基于14nm改良的12nm工艺也进入客户导入阶段了,该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微。随后中芯国际将跳过10nm直接奔向7nm工艺。

不过14nm工艺相比台积电、三星的工艺依然存在2-3代的差距,台积电目前 5nm 工艺良率已经做到 80%,中芯国际才刚开始做14nm,和台积电依然有两代到三代的差距,而且满足不了制造当前最高性能水平的处理。但至少中芯国际给我国芯片业带来了一个好消息。当然,这种差距是可以缩小的,由于目前的芯片架构已经渐渐靠近摩尔定律的极限,在新的基础物理理论和半导体制造技术突破之前,更精细的制造工艺会面临更长的瓶颈期,这给了中国企业时间,它们可以趁此机会积累资金和经验,赶上行业龙头台积电、三星。返回中国体彩app_[官网首页],查看更多

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